Навигация
Энциклопедия
Календарь новостей
« Ноя.2019
Пн.Вт.Ср.Чт.Пт.Сб.Вс.
    123
45678910
11121314151617
18192021222324
252627282930 
Вопрос месяца
Активных опросов на данный момент нет.
Разминка для мозга


RSS / РСС
Введите слово для поиска :
Элементы p-n переход
То же, что электронно-дырочный переход - область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Поскольку в р-области электронно-дырочного перехода концентрация дырок гораздо выше, чем в n-области, дырки из p-области стремятся диффундировать в электронную область. Электроны диффундируют в р-область. Однако после ухода дырок в p-области остаются отрицательно заряженные акцепторные атомы, а после ухода электронов в n-области - положительно заряженные донорные атомы. Так как акцепторные и донорные атомы неподвижны, то в области электронно-дырочного перехода образуется двойной слой пространственного заряда - отрицательные заряды в р-области и положительные заряды в n -области (рис. 1). Возникающее при этом контактное электрическое поле по величине и направлению таково, что оно противодействует диффузии свободных носителей тока через электронно-дырочный переход; в условиях теплового равновесия при отсутствии внешнего электрического напряжения полный ток через электронно-дырочный переход равен нулю. Таким образом, в электронно-дырочном переходе существует динамическое равновесие, при котором небольшой ток, создаваемый неосновными носителями (электронами в р-области и дырками в n-области), течёт к электронно-дырочному переходу и проходит через него под действием контактного поля, а равный по величине ток, создаваемый диффузией основных носителей (электронами в n-области и дырками в р-области), протекает через электронно-дырочный переход в обратном направлении. При этом основным носителям приходится преодолевать контактное поле (потенциальный барьер). Разность потенциалов, возникающая между p- и n-областями из-за наличия контактного поля (контактная разность потенциалов или высота потенциального барьера), обычно составляет десятые доли вольта.

p-n переход
p-n переход. Рисунок 1

ТЕКСТ +   ТЕКСТ -   Печать Опубликовано : 17 Июль 2007 | Просмотров : 2576

[Версия сайта - 2.0.1]     © Powered by Danneo CMS